純白の吸血鬼は微笑む:私を殺した責任、とってもらうからわ ー アルクエイド ブリュンスッド
星期六, 六月 24, 2006
intel 將於 45nm 製程使用 tri-gate電晶體
處理器生產商Intel宣佈,他們成功把Tri-gate立體電晶體技術加入量產過程中,將有助提升產品的能源效益表現,並預計採用於未來45奈米制程實現。據Intel表示,Tri-gate立體電晶體技術可進一步減少漏電 (Leakage)及減少功耗需求,把Tri-gate立體電晶對比體現今的平面電晶體晶片設計,其開關切換速度(Swithching Speed)可提升約45%或減少約50次Off-Current的情況,同時亦減少35%電晶體切換所需功耗,意味著未來Intel 45奈米產品無論效能和功耗表現均會進一步提升。

Intel副總裁暨元件研究事業群經理Mike Mayberry表示,Intel未來產品將包括以上三項技術,Tri-gate電晶體、High-K物料及Strained Silicon技術,將令Intel保持Moore's定律繼續生效。 根據Intel的生產技術發展計劃書中,Intel將會於2007年下半年正式量產45奈米技術,並以每兩年更新一次制程技術,2009年導入32奈米技術並於2011年再度提升至22奈米,並預計未來10 年內Moore's定律仍保持有效。

Moore's定律是由Intel名譽董事長摩爾經過長期觀察發現得之,摩爾定律是指一個尺寸相同的晶片上,所容納的電晶體數量,因製程技術的提升,每 18-24個月會加倍。其重要的意義在於長期而言,晶片製程技術是以一直線的方式向前推展,使得晶片產品能持續降低成本,提升性能或增加功能。


(轉自 HKEPC)
想當年, 差不多就是十一年前的現在, 我那時的電腦是一台 386-25Mhz 的, 被我拿來打大宇出的遊戲, 軒轅劍拉, 仙劍奇俠拉...

現在, cpu速度至少是一百倍, 效能則比這個高上不只一千倍...

很難想像接下來會怎麼發展...
哪個記者敢抄, 我詛咒你全家死光 !
More... funp HemiDemi MyShare del.icio.us technorati Google Bookmarks Digg
朱の紅月 發表於 11:39 AM

迴響留言
尚無迴響

張貼迴響:
名稱
電子郵件
網址



請輸入你在圖片中看到的文字
引用列表
本篇文章引用網址: http://yblog.org/api/trackback/?id=6464
沒有引用










Collablog Portal enabled